ako funguju MOSFET?

[Beherit]

potrebujem poradit.
povedzme ze: mam tranzistory mosfet budene stalym sinusovym signalom s rovnakou velkostou. naprazdno sa mosfety pekne otvaraju a na ix vystupe je povedzme ze sinus 20V............co sa stane, ked ix zatazim? zmensi sa amplituda na vystupe mosfetov ako pri inyx obycajnyx tranzistorox?

v podstate to je to iste ako so zosilnovacom s MOSFET..........
musim pri zatazeni vystupu zvysovat uroven budenia, aby som mal na vystupe stale rovnaku hodnotu napatia?

[joži]

Mosfet su tranzistory, narozdiel od bipolarov, odlisne aj strukturov, aj parametrami, aj moznostami pouzitia. mosfet je ovladanym len napatim, zatial co bipolar je prudom. co sa tyka zatazenia, moze ti napatie poklaesnut, zalezi to na vnutornom odpore mosfetu, ale i na tom, ci je dokonale otvoreny. Mosfety sa daju budit 2ma sposobmy, klasicky medzi GS (napatim medzi Gate a Source), toto napatie je vačšinou len do +/-20V . na otvorenie mosfetu, musis prekonat tzv. Treshold napatie. je to napatie okolo 2-3V zalezi na type Fetu. Druhe mozne budenie je budenie medzi GD (napatim medzi Gate a Drain) to ovsem moze byt do zdruba mezneho nap. prechodu DS. Co sa tyka naroku na budenie, je ptrebny aj urcity prud, ktory ti prekona kapacitu medzi kradlami. ten sa vačšinou obmedzuje rezistorom, inak by sa mohlo hradlo Gate poskodit. Takto to je tazko vysvetlit, pretoze je to problematika dost rozsiahla. Ak to chces pouzit do zosika, moc tie dnesne fety neodporucam,lebo dnes vyrobca sa snazi vyrabat takou technologiou, aby sa dosiahli co najlepsie vysledky v oblasti spinania. Preto bez vonkajšich obvodou, ktorymi by si stabilizoval ich pracovny bod v linearnej oblasti, su prakticky nepouzitelne. Zvaz, ci je rozumne to davat do zosika. odporucam ti zajst do kniznice, a pozicat si lit. tam najdes vsetko otrebne, i to ,preco sa spinacie trandy nedavaju do zosikoou, ktore pracuju v lin. rezime (trieda A, AB, B, v triede D sa pouzivaju!)

[Beherit]

nie v zosiku ix nexcem pouzit, to som uviedol iba ako priklad...............ale dik za snazive vysvetlenie..........
mna len zaujima ci pri jeho zatazeni poklesne na vystupe napatie.........

robim menic napatia do auta, budim ix (mosfety) obdlznikom ale zere to moc velky prud naprazdno............a ak to skusam na zosiku so sinosom tak to slape.................takze musim tam dat sinusove budenie len problem je v tom, ze ci tam mam(a ak ano tak ako) spravit stabilizaciu budenia, bo ked sa z menica zacne odoberat prud, tak nexcem, aby mi pokleslo napatie, takze by som musel spravit stabilizaciu, aby pri poklese sa zvysila intenzita budenia a napatie na vystupe(na trafom) bolo stale na plnej hodnote....................
to nas vravia naspak k otazke: pri zatazeni MOSFET-ov klesne napatie na vystupe alebo nie? ak ano, tak tam musim spravit daku tu stabilizaciu, aby sa pri odbere zvacsovalo budenie......................
a druha otazka bude potom zniet, ako spravit tu stabilizaciu.............viem ze z trafa treba dake vinutie na "detekciu poklesu napatia" ale neviem ako.................

nexcem od vas privela ze??

[joži]

ale nenapisal si cim budis fie mosfety? akym obvodom? u mosfetu je treba budit vysim napatim ako je spinane, co sposobi dokonale zopnutie mosfetu. Na menici teda treba aby si vystup v riadiaceho cipu posilnil na +12V. to ze ich budis obdlznikom je v poriadku. Ak ti zere vela prudu naprazdno je tio na 75% sposobene sucastnym otvorenim obydvoch tranzistorov. preto ti vtedy vyskoci taky vysoky prud. Odborne sa tomu hovory myslim DEAD TIME. naopis akym obvodom to riadis

[Beherit]

v tom problem neni, je to 4047 multivibrator, na vystupe na plne napajacie to jest 12V...............problem ze s trafom.................

skusim to vysvetlit: mas trafo budene sinusom, primar 12V..........ale napatie na zavit na sekundari ne napr: 0,2V............a ty nexces sekundar vinut 50m, tak spravis to, ze znizis pocet zavitov na primari a stale ho budis 12V-mi. tym sa stane toto: na sekundari sa ti zvacsi napatie na 1V/zavit, co je fajn a nemusis vinut tak dlhy sekundar, ale druhavec co sa stane je ze ti trafo zere naprazdno prud..........a to vyriesis zvysenim frekvencie z 50Hz na napr.: 10,20,30kHz(niekolko 10-tok kHz)..............a problem je v tom, ze pri sinuse som to robil, postupne zvysoval frekvenciu a slapalo to...........ale akonahle to hodim na obdlznik s rovnakou F, alebo aj vacsiou tak to stale zere velky prud.........

takze tam musim dat sinusove budenie a tu je znova moja otazka: musim tam pri sinuse robit tu stabilizaciu, aby mi pri odbere prudu z trafa neklesalo napatie? alebo su MOSFET-y pri zatazovani stale rovnako otvorene?

[Beherit]

lebo ak tam dam daky bipolar, to mi je jasne ze sa pri odbere prudu uzatvara a musim zvacsovat budenie dakou stabilizaciou...........ale co ak tam mam ten MOSFET?

alebo tam hodim obycajne TR. na ten sinus? ale ako s tou stabilizaciou potom?

nie: jeden TR som odpojil, bol iba jeden zapojeny a stale to zralo, aj ja som si myslel ze su sucastne otvorene oba ale tym to neni.............

[joži]

no. 1. to ze ti narastol prud pri obdlzniku je pochopitelne,je to normalne. Vačši obsah harmonickych, ci napatia, ci prudu!
2. pri navrhu vysohofrekvencnych traf s budenim obbdlznikom je problem v tom, ze nemozes pouzit plechove jadro! stejne pre obdlznik neplati vzorec pre pocitanie trafaku pre sin. signal.
3. Neni to len tak s odvijanim z primara. to musi sediet presne. ked chces ma t na vystupe 230V, musis mat trafo s prevodom 2*12V na 2*320V , pretoze uvazujes max. hodnoty sinusovky(obdlznika) to pre 230V je :0 - 320 - 0 -(-320).
4. ten IO nie je urceny na budenie Mosfetou na to je SG3525
5. budenie sin signalom je neefektive= velke straty
6. az tak moc neviem, co vlastne ti mam poradit
7. Menicou je spusta, ja mam v UPS ten SG3525 a ni budene 2+2pary mosfetov
8. celkovo je treba zarucit aby bola strieda 1:1
9. ked to chces budit sin. daj to na vystup zosilovaca
10. Neviem co ti mam este poradit

[joži]

na sekundare staci 1*320V sory

[Beherit]

viem ako to je s odvijanim.........som iba uviedol ako priklad, tak isto viem ze sinus je neefektyvny, ale bohuzial, pri 10V to papa 4A, TR. sa hreju..........nexcem ani vediet, co to spravi pri 14,5V(nastartovane auto)..........
jadro je ani neviem ake, je to "toroid", ale nie ako tie male v zdrojox PC, ale je to daky plex(vazne netusim aky material) alebo co natoceny dokolecka niekolko 100 zavitov a tak tvori toroid.............

[ypsi]

jozi: perfis popisane, niet moc co dodat.
beherit, zerie ti to tak vela pri pripojenom menicovom trafe?

[Beherit]

ano pri pripojenom trafe.......

[ypsi]

Nebude nevhodne navrhnute??

[joži]

podla neho uzcite nie, ked mu to na sinus ide.... skoda reci, postav daco overene, ked nemas vedomost na navrh trafaku do menica. Keby si sa na to dal, tak len poviem ze Prekmity na primarnej strane nesmu byt vačšie ako 20-25V

[ypsi]

Vacsinou problem nebyva v neznalosti navrhu trafa na ferite, problem nastane pri urceni typu feritu. Ze jo.....

[Beherit]

ok
spravim druhy...........mate daco overene? alebo viete kde to najdem? potrebujem z 12V na symetriu 55V az 60V s vykonom 200az 250W. dik

[ypsi]

ok
spravim druhy...........mate daco overene? alebo viete kde to najdem? potrebujem z 12V na symetriu 55V az 60V s vykonom 200az 250W. dik

V minulorocnej PE vysiel clanok s menicom, riadilo to SG-cko, symetria myslim +/- 30V?, skus si to pozriet pre inspiraciu..

[FUBU]

MOSFET funguje takto:
Ma tri elektrody
S - source ( nieco ako Emitor pri bipolare)
D - drain ( nieco ako Kolektor pri bipolare)
G - Gate ( nieco ako Baza pri bipolare)
Kedze to neni bipolar, tak patri do skupiny unipolarnych
tranzistorov.
MOSFETy v drvivej vacsine su vyvijane do spinanych zdrojov a
vsetkych podobnych obvodov, kde treba extremne rychle spinacie
casy. Obycajne bipolarne tranzistory maju pomaly prechod medzi
zapnutim a vypnutim. A prave tam vznikaju velke straty! Pretoze
bipolarny tranzistor je urcity cas v linearnej oblasti, kde preteka prud
a medzi elektrodami je nejake napatie. Potom za ten kratky cas vzniknu
tepelne straty P = U*I. MOSFET ich ma extremne nizke. Ale zalezi to
samozrejme aj od typu MOSFETu!

No a ako ovladat MOSFET.
V porovnani s bipolarnym tranzistorom sa vodivost
MOSFETu Source - Drain neriadi prechadzajucim prudom medzi
Gate - Source, pretoze Gate je voci Source izolovane ultra tenkou
vrstvickou. Takze To nie je polovodicova dioda ako pri bipolarnom
tranzistore s prechodom PN ci NP medzi Bazou a Emitorom, kde moze
v priepustnom smere pretekat prud.
Naopak Gate - Source sa sprava ako obycajny kondenzator
(od typu MOSFETu ma roznu kapacitu od 10pF az 5000pF,
cim vykonnejsi tym vacsia kapacita).

No a ak chces aby medzi elektrodami Source - Drain prechadzal prud,
tak musis medzi elektrody Gate - Source priviest napatie vyssie ako 4,5V
to je jeho napatie kedy sa zacne otvarat. No pre plne otvorenie potrebuje
medzi elektrodami Gate - Sorce 15V.
(presna hodnota podla konkretneho typu MOSFET)

No a ak chcete vyuzit vynikajuce vlastnosti spinacich MOSFETov,
tak musite tu kapacitu medzi Gate a Source velmi rychlo vybit
repsektive nabit. Na to prave sluzia budice vykonovych MOSFET
tranzistorov.
Nie je dobre budit MOSFETy priamo z CMOS obvodov ani TTL.
Ak sa nepouzije adekvatny budic, tak MOSFET spina pomaly, pretoze
kapacita Gate - Source sa vybija a nabija pomalsie ( nie skokovo)
a MOSFET podobne ako bipolar je potom chvilu v linearnej oblasti
a vznikaju na nom tepelne straty P=U*I.

Medzi Gate - Source preteka len nabijaci a vybijaci prud kapacity
Gate - Source. Ale po nabiti (vybiti) kapacity nesmie medzi
Gate - Source pretekat prud. Ak sa tak deje, znamena to ze MOSFET
skoncil svoju put na tomto svete.

Dalsia dobra rada - MOSFET znesie medzi elektrodami Gate - Source
maximalne +-25V (bezne MOSFETy) ak to prekrocite, prebije sa
tenka izolacna vrstvicka a MOSFET je v prdely.

A este jedna rada - na pred manipulaciou s MOSFETom si uzemnite ruky
staticka energia je svina!!! A urcite nepajkujte s trafopajkou. silne
elmag. impulzy.

Tod vse

[milan209]

Poprosím ohľadom mosfetu IFRZ44N. Na G mam 6V voči S. Ale na D nie je nič. Je po ňom? Mohol sa prehriatim pri pajkovani zničiť?
Keď ho meram tak medzi G a S je 6.5k ohmov. A medzi D a S je 12.68M ohm.
Vďaka .

[misocko]

na D je nic voci comu? voci S? - to je v poriadku, tak to ma byt ked to mas spravne zapojene
nacmaraj aspon kus schemy
ako sa meraju nezapojene mosfety? hladaj, je toho plny net

[milan209]

No voči zemi. Na S mam zem.
http://j05i.imgup.net/fileccdc.png