k 18V/40W solarnemu panelu potrebujem seriovu diodu pre blokovanie spatneho prudu naspat do panelu. Chcem docielit asi ako vsetci co najnizsie straty (ubytok). To vedie na schottky, ta ma vsak priliz velky leakage a v case ked tyzden nesvieti slnko zbytocne vybija bateriu.
Riesenim je Mosfet v reverze, no aby toho nebolo malo, ta dioda musi byt sakra rychla, lebo na panel je pripojeny rezonancny menic (cca 100kHz) ktory ma tendenciu vracat energiu z rezonancneho obvodu napat do panelu. Ta dioda tomu musi zabranit.
To znamena ze ten Mosfet (dioda) musi byt ovladana high-speed driverom.
Navrhol som schemu dole, do vykonoveho obvodu je zaradeny 100m Ohm shunt, ktory pri max. prude (2A) robi ubytok 200mV - s tym sa uz da pracovat.
Q1 je riadeny napatim na shunte cez emitor pre dosiahnutie co najvacsej rychlosti. Baza Q1 je drzana na konstantnom napati 660mV.
A teda principom je, ze pri nizkych zataziach, povedzme do 200mA tecie prud cez parazitnu diodu mosfetu (0.7V ubytok) a pri zataziach nad 200mA zopne mosfet a ubytok klesne na dajme tomu 0.1V (Rds= 0.05 x 2A). K tomu ubytku treba samozrejme priratat aj ubytok shunte (max 0.2V), hehe jemne vytriezvenie.
Vypada ze to funguje bezvadne, len mi vadi tych 200mV na shunte.
Ake su riesenia merania prudu s vysokou rychlostou, prudove trafo, hall-senzor, precizny operak + mensi shunt?
Schema:
Simulacia:
V case 1ms dojde k zmene zatazenia zo 170mA na 450mA. Rychlost reakcie dostacujuca.
(hore je na napatie na Source voci zemi a teda ubytok na strukture mosfetu + ubytok na shunte)
(dole je prud zatazou a teda Mosfetom)
Zmena napatia na gate mosfetu v case t=1ms pri zmene zataznia zo 170mA na 450mA:
