ověření fuknčnosti laterálních mosfetu

Si začinajúci elektronik? Tak táto rubrika je určená práve tebe.

Moderátori: mirosne, Moderátori

burn23
Stály člen
Stály člen
Príspevky: 107
Dátum registrácie: 18 Mar 2015, 06:34
Bydlisko: tábor

ověření fuknčnosti laterálních mosfetu

Príspevok od používateľa burn23 » 15 Aug 2017, 09:18

zdravím,potřeboval bych vědět zda jsou v pořádku latearní mosfety 2sj 78.
podle návodu by neměl ukazovat zadný odpor v jakémkoli směru G vůči S a D,
bohužel mě ukazují 2 fety uplně stejně a to G- S asi 25megaohm.
je to možné u lateárů?
http://pdf.datasheetcatalog.com/datashe ... r9krcy.pdf
jinak při aktivaci diodovým testem G-D je pole S-D sepnuto a drží.
nevím zda je to v pořádku?
díky za možné reakce.
0

breta1
Power user
Power user
Príspevky: 9330
Dátum registrácie: 06 Feb 2009, 00:00
Bydlisko: brno

Re: ověření fuknčnosti lateárních mosfetu

Príspevok od používateľa breta1 » 15 Aug 2017, 09:47

Nikdy jsem podobné tranzistory neměl a neměřil.
Ale myslím, že jsou OK - ten změřený odpor 25M se mi nezdá, protože kdyby tam opravdu byl, tak jak píšeš

""jinak při aktivaci diodovým testem G-D je pole S-D sepnuto a drží""

(jistě jsi chtěl napsat diodovým testem G-S) tak by otevřený S-D nemohl držet sepnutý, protože vstupní kapacita 120pF by se přes 25M vybila za několik ms
0

burn23
Stály člen
Stály člen
Príspevky: 107
Dátum registrácie: 18 Mar 2015, 06:34
Bydlisko: tábor

Re: ověření fuknčnosti latelárních mosfetu

Príspevok od používateľa burn23 » 15 Aug 2017, 10:46

díky.
tak jsem ještě měřil diodovým testem G + vodičem a S - vodičem a je tam ubytek napětí 0,8v.
neznám význam těch 2 diod zapojených proti sobě ,jak je na sch.značče,ale mě to příjde,jako by byla jedna proražená.
ta další ochraná dioda S-D je v pořádku.
0

breta1
Power user
Power user
Príspevky: 9330
Dátum registrácie: 06 Feb 2009, 00:00
Bydlisko: brno

Re: ověření fuknčnosti laterálních mosfetu

Príspevok od používateľa breta1 » 15 Aug 2017, 13:18

To nejsou diody, ale dvě obráceně sériově spojené zenerovy diody, které chrání přechod G-S v kladném i záporném směru
0

burn23
Stály člen
Stály člen
Príspevky: 107
Dátum registrácie: 18 Mar 2015, 06:34
Bydlisko: tábor

Re: ověření fuknčnosti laterálních mosfetu

Príspevok od používateľa burn23 » 16 Aug 2017, 13:20

to je stejně v haji s těma součástkama,nejde to nikde sehnat a zesilovač 2 x 350 watu je na vyhození,je to škoda,zkusil jsem to a zesilovač přes ochrané odpory má klidový odběr asi snad 20w,všechno špatně,bouhužel,asi si nechám jen koncové trandy a trafo a zbytek pujde do šrotu.
0

Dolfi
Power user
Power user
Príspevky: 11654
Dátum registrácie: 17 Aug 2008, 00:00
Bydlisko: Prešporok (BA)
Vek: 71

Re: ověření fuknčnosti laterálních mosfetu

Príspevok od používateľa Dolfi » 16 Aug 2017, 15:54

Prečo chceš zrušiť ten zosilňovač ? Určite sa nájdu ľudia, čo ho dokážu sprevádzkovať.

A preveriť funkčnosť tých tranzistorov by nemal byť predsa problém. Ak pozrieš na jeho schému, tak prechod DS má substrátovú diódu, prechod SD nesmie viesť a tak isto GS a SG nesmie byť vodivý.

Napokon, je taký problém zapojiť tranzistor na zdroj napätia (napr. 10 V), s odporom (100R) medzi D a mínus. Na odpore nesmie byť žiaden úbytok. A potom cez ochranný odpor (10k) dať na G voči S povedzme plus a mínus 10 V. Na odpore 10k by tak isto nemal byť žiaden úbytok. A pri mínus 10 V voči S by sa mal tranzistor otvoriť.
0
Druhotriedny nadriadený si nikdy nevyberie prvotriedneho ale treťotriedneho podriadeného.

Používateľov profilový obrázok
hpeter
Ultimate člen
Ultimate člen
Príspevky: 1782
Dátum registrácie: 16 Jún 2013, 10:32
Vek: 40

Re: ověření fuknčnosti laterálních mosfetu

Príspevok od používateľa hpeter » 16 Aug 2017, 17:44

burn23 napísal:zdravím,potřeboval bych vědět zda jsou v pořádku latearní mosfety 2sj 78.
podle návodu by neměl ukazovat zadný odpor v jakémkoli směru G vůči S a D,
bohužel mě ukazují 2 fety uplně stejně a to G- S asi 25megaohm.
je to možné u lateárů?
http://pdf.datasheetcatalog.com/datashe ... r9krcy.pdf
jinak při aktivaci diodovým testem G-D je pole S-D sepnuto a drží.
nevím zda je to v pořádku?
díky za možné reakce.
Neni to JFET ani SIT, cize bude problem.
Este skus cez µAmeter, do G-S cca 5...10V zdroj, skus obe polarity. D odpojeny.
Mal som poskodene statikou G SiC mosfet, fungoval, ale G malo spotrebu x mA..
0

Napísať odpoveď