power P channel mosfet

[robot_chobot]

Zdravim poproil by om pomoc o nejake zjednodusenie alebo nejake vzorce. Problem mam taky, chcem spinat 30v cca 2A pri 10khz.Potreboval by som veiet hodnotu R11 pretoze ta bdue ovplyvnovat rychlost spinania,

[breta1]

Myslím, že tě to nemusí pro 10kHz trápit.
Kapacita hradla Cgs okolo 30pF pro BS170 by se uplatnila až pro odpory v řádu MΩ (kdyby to bylo buzeno např. přes diodu).

[robot_chobot]

tak o bs170 mi ani az tak nejde ak oo ten P fet.ten ma Cg tot 60nF. a bude vybijany cez R11.ide hlavne o to ze aby om dobre potom urobil ten delic aby na gate nebolo vyse 20V. no lenze v tom delici mi ta R11 moze ovplyvnovat rychlosst spinania.pozeral som rozne application notes ale je to tam kadejako napisane.ak by bol nejaky vzorec taky vsseobecny by bolo najlepssie

[misocko]

Mas tam 10V zenerku na ochranu GS, takze 20V tam asi nebude. R1 daj 1k, R11 daj 100R.

[robot_chobot]

zenerka zaucinkuje ak je bs170 zopnuty tak je 10v na gate Pfetu ale ak je vypnute bs tak je tam delic...ak sa nemylim?! hadam niessom v omyle

[breta1]

Aha, myslel jsem, že je řeč o RB11.
Ale k tomu vzorci - zhruba stačí vědět, že vybíjecí časová konstanta Cgs*R11 musí být mnohem menší, než perioda signálu T.
Pro rovnost vychází R11=T/Cgs=0,0001/0,00000006=1600Ω, takže např. 100Ω je hodnota více než desetkrát menší a bude vyhovovat.

[misocko]

zenerka zaucinkuje ak je bs170 zopnuty tak je 10v na gate Pfetu ale ak je vypnute bs tak je tam delic...ak sa nemylim?! hadam niessom v omyle

si v omyle
ak je bs zopnuty (vodivy stav) tak by bolo na G napetie nula voci zemi a -30V voci S, kedze je tam 10V zenerka, nedovoli na G napetie vecsie ako -10V voci S.
ked je bs rozopnuty (nevodivy stav) , voci comu sa ti tam vztvori delic z R1 / R11 ked spodna nozicka R11 je v lufte?
skontrolujte ma niekto ci nepisem blbosti

[robot_chobot]

breta dik:) misocko chces povedat ze kludne mozem pouzit R1 ako pullup resistor napr 4,7k a R11 ako gate resisstor napr 10 alebo 100ohomv?

[misocko]

Mas tam 10V zenerku na ochranu GS, takze 20V tam asi nebude. R1 daj 1k, R11 daj 100R.

10R bude malo, potecie tam vecsi prud cez zenerku 100R je ok

[robot_chobot]

ok tak vdaka pani

[zdeno6505]

Pri zopnutom Q2 a R11 = 100R potečie cez zenerku 0,2A, vykonová strata 2W. A na odpore 4W.

[robot_chobot]

mass pravdu , hreje sa to nenormalne pri zapnuti je hned horuci odpor...dat tam assi kolko? len aby to nemalo vplyv na rychlosst sspinania

[misocko]

skus pozriet toto, su tam aj nejake vzorceky na presne tvoju schemu
AND9093/D

[martin knocik]

Tu máš vzorce. Výpočet gejtoveho odporu podla rýchlosti spínania,

výpočet gejtpového odporu podla požadovanej dv/dt strmosti



V tojom prípade si musíš povedať koľko W tepelnej straty vzniknutej spínaním si ochotný na mosfete a budiči mosfeta uchladiť a podla toho vybrat rýchlosť spínania.

Ako príklad.

Zmeň zenerku na 15V, mosfetu to neuškodí. Ak by si mal spínací čas 10us, by si potreboval 3kOhm budiaci rezistor mosfetu (v tvojom prípade R11) . Stredný budiaci prúd vzchádza na 4,3mA. Samotné zapínanie MOSFETU by vygenerovalo zhruba 0,5*30*2*10e-6*10e3 = 1,5W tepla, mosfet by sa vypínal cez zenerku, tam by bola vypinacia strata zanedbatelná. Stačil by ti chladič MOSFETU veľkosti zapalkovej krabičky.

R1 je tam len kôli unikajucemu prúdu gejtu (500uA max), pri vypnuti mosfetu sa gejt nabije cez zenerku. R1 by som dal 0,5V/500e-6 = 1kOhm.

Strata na zenerke a R11 bude okolo 50mW.